研究方向

1、大面积光学级自支撑金刚石膜制备与加工；

2、金刚石单晶的大尺寸取向生长

3、金刚石等碳材料光电器件研究与应用；

4、氮、碳和氧化物硬质与超硬纳米多层与复合膜的制备与应用；

5、等离子体表面合金化与等离子体诊断。

教育经历

1983年毕业于北京钢铁学院（现北京科技大学）金属学及热处理专业，先后获学士、硕士和博士学位，中国科学院力学研究所博士后。

工作经历

先后在美国西弗吉尼亚大学、德州农工大学做访问学者，及宾夕法尼亚大学、美国能源部国家能源技术实验室进行访问与交流，及俄罗斯科学院普洛霍罗夫普通物理研究所（GPI）和无线电工程与电子研究所进行学术访问交流。

论     文

专利申请情况：

1. 李成明、郑宇亭、刘金龙、赵云、郭彦召、魏俊俊、黑立富、陈良贤，一种用于离子传感器的氢终端金刚石表面电化学修复方法，申请日:2017年9月21日，申请号：201710861985.0

2. 李成明、贾鑫、魏俊俊、陈良贤、安康、郑宇亭、黑立富、刘金龙，一种基于非自支撑GaN对粘制备金刚石基GaN的方法，申请日:2017年6月26日， 申请号：201710491945.1

3. 李成明、赵云、林亮珍、安康、郑宇亭、黑立富、刘金龙、魏俊俊、陈良贤，微波等离子体化学气相沉积法生长单晶金刚石用的沉积台，申请日:2017年6月16日，申请号：201720707933.3

4. 李成明、郑宇亭、林亮珍、赵云、刘金龙、魏俊俊、陈良贤、黑立富，单晶金刚石表面原位n型半导体化全碳结构的制备方法，申请日:2017年5月22日，申请号：201710363710.4

5. 李成明、赵云、安康、刘金龙、黑立富、魏俊俊、陈良贤，一种用于微波等离子体化学气相沉积装置的石英钟罩，申请日:2016年1月27日，申请号：201620077526.4

专利授权情况：

1. 李成明,陈良贤,张营营,刘金龙,黑立富,吕反修，一种电子器件用硅基复合片的制备方法，申请日:2010年12月3日， 申请号： 201010578826.8，授权日2013年2月17日，专利号：ZL201010578826.8

2. 李成明,刘金龙,张营营,陈良贤,黑立富,吕反修，一种高导热集成电路用金刚石基片的制备方法，申请日:2010年12月3日， 申请号：201010578837.6，授权日2011年8月17日，专利号：ZL201010578837.6

3. 李成明,陈良贤,刘金龙,黑立富,吕反修，一种形成强结合热障涂层的方法，申请日:2009年12月4日， 申请号： 200910242201.1，授权日2010年11月3日，专利号：ZL200910242201.1

4. 李成明,陈良贤,刘政,黑立富,吕反修，一种提高自支撑金刚石膜强度的方法，申请日:2009年12月4日， 申请号： 200910241500.3，授权日2010年5月12日，专利号：ZL200910241500.3

5. 李成明,李惠青,吕反修,唐伟忠,陈广超,宋建华,佟玉梅，一种制备大面积高质量金刚石膜中抗裂纹的方法，申请日:2004年8月31日， 申请号：200410009500.8，授权日2005年3月23日，专利号：ZL200410009500.8

6. 唐伟忠,李成明,吕反修,陈广超,宋建华,佟玉梅,樊凤玲,黑立富,刘素田，一种在硬质合金工具上制备金刚石涂层的方法，申请日:2004年12月28日， 申请号：1632165，授权日2005年6月29日，专利号：CN1632165

7. 唐伟忠,李成明,吕反修,陈广超,佟玉梅,宋建华,刘素田，直流电弧等离子体化学气相沉积装置及金刚石涂层方法，申请日:2004年12月28日， 申请号：200410101845.6，授权日2005年6月29日，专利号：CN200410101845.6

8. 唐伟忠;赵中琴;吕反修;李成明;陈广超;佟玉梅，一种金刚石涂层Al2O3电子陶瓷基片制备技术，申请日:2003年11月7日， 申请号：200310103181.2，授权日2004年11月3日，专利号：200310103181.2

9. 李成明;张勇;曹尔妍;薛明伦，一种用辉光放电表面处理中等离子体探针诊断的装置，申请日:2000年7月7日， 申请号：00109824.1，授权日2002年1月23日，专利号：CN00109824.1

10. 李成明;张勇;曹尔妍;薛明伦，利用超声波测试材料的抗腐蚀冲蚀性能的方法和装置，申请日:2000年7月14日，申请号：00120721.0，授权日2002年2月6日，专利号：CN00120721.0

11. 张勇;曹尔妍;李成明，脉冲辅助过滤电弧沉积薄膜装置和方法，申请日:1999年10月11日， 申请号：99121640.7，授权日2001年1月24日，专利号：CN99121640.7

12. 李成明;张勇;曹尔妍;薛明伦，金属低温渗入的装置和方法，申请日:1999年10月11日， 申请号：99121641.5，授权日2001年1月24日，专利号：CN99121641.5

13. 潘俊德，范本惠，贺琦，郑维能，徐重，韩晋宏，李成明，刘俊亮，双阴极辉光放电合成金刚石薄膜，申请日:1994年9月14日， 申请号：94117356.9，授权日1995年6月21日，专利号：CN94117356.9

14. 潘俊德; 范本惠; 李成明; 郑维能; 韩晋宏; 徐重，弧光离子渗碳与共渗技术及其装置，申请日:1991年3月19日， 申请号：91102088.8，授权日1992年10月7日，专利号：CN91102088.8

15. 潘俊德; 范本惠; 徐重; 李成明; 韩晋宏; 郑维能，加弧辉光离子渗金属技术及设备，申请日:1990年6月1日， 申请号：90103841.5，授权日1991年12月18日，专利号：CN90103841.5

16. 李成明，刘盛，魏俊俊，黑立富， 覆盖强结合CVD金刚石的聚晶金刚石复合片的制备方法，申请日:2012年10月11日， 申请号： 201210385129.X

17. 李成明，陈良贤，刘金龙，魏俊俊，黑立富，吕反修，一种金刚石自支撑膜表面平整化方法，申请日:2012年6月14日， 申请号：201210196311.0

18. 李成明，刘盛，魏俊俊，黑立富，刘金龙，陈良贤，CVD金刚石增强聚晶金刚石复合片的制备方法申请日:2012年6月14日， 申请号：201210200657.3 19. 魏俊俊，李成明，高旭辉，黑立富，吕反修，一种大面积沉积金刚石膜的热丝架以及制造方法申请日:2012年5月6日， 申请号：201210138893.7

20. 魏俊俊，李成明，高旭辉，黑立富，吕反修，一种大面积沉积金刚石膜的热丝架申请日：20012年5月6日，申请号：201220201458.x，授权日：2013年1月1日，专利号：201220201458.x

21. 陈广超,李 彬,薛前进,杰•阿斯卡瑞,唐伟忠,李成明,宋建华,黑立富,佟玉梅,吕反修，直流电弧喷射等离子体分束器，申请日：2007年3月6日，申请号：200720103741.8，授权日：2008年5月21日，专利号：CN200720103741.8

22. 陈广超;戴风伟;兰 昊;李 彬;杰•阿斯卡瑞;唐伟忠;李成明;宋建华;黑立富;佟玉梅;吕反修，一种金刚石膜剪切器，申请日:2006年6月1日， 申请号：200620023026.9，授权日2007年11月7日，专利号：CN200620023026.9

23. 唐伟忠;孟宪明;黑立富;李成明;陈广超;宋建华;吕反修;佟玉梅，等离子体化学气相沉积法金刚石涂层的温度测量装置，申请日:2006年6月9日， 申请号：200620023059.3，授权日2007年8月8日，专利号：CN200620023059.3

24. 陈广超,周有良,吕反修,李成明,唐伟忠,宋建华,佟玉梅，一种金刚石膜热化学抛光夹具，申请日：2005年1月27日，申请号：200520022774.0，授权日：2006年3月8日，专利号：CN200520022774.0

25. 唐伟忠,李成明,吕反修,陈广超,佟玉梅,宋建华,刘素田，强电流直流电弧等离子体化学气相沉积装置 ，申请日：2004年12月28日，申请号： 200420121006.6，授权日：2006年7月5日，专利号：CN200420121006.6

26. 李成明;张勇;曹尔妍;薛明伦，辉光放电表面处理中等离子体诊断装置用的探针，申请日:2000年7月7日，申请号：00243253.6，授权日2001年5月23日，专利号：CN00243253.6.

27. 李成明;张勇;曹尔妍;薛明伦，一种测试材料抗腐蚀冲蚀性能的装置，申请日:2000年7月14日，申请号：00243391.5，授权日2001年6月13日，专利号：CN00243391.5

28. 李成明; 张勇; 曹尔妍; 薛明伦，金属低温渗入的装置，申请日:1999年10月11日， 申请号：99248218.6，授权日2000年9月20日，专利号：CN99248218.6

29. 张勇,曹尔妍,李成明， 脉冲辅助过滤电弧沉积薄膜装置 ，申请日：1999年10月11日，申请号：99248217.8，授权日：2000年11月22日，专利号：CN99248217.8

发表学术论文（2008-2017）

1. Chenyi Hua, Liangxian Chen, Chengming Li*, Meng Wang, Jianchao Guo, Jinlong Liu,Xiongbo Yan, Yun Zhao, Kang An, Junjun Wei, Lifu Hei， Effects of oxygen-to-argon ratio on crystalline structure andproperties of Y2O3 anti-reflection films for freestanding CVD diamond，Journal of Alloys and Compounds 693 (2017) 468-473.

2. Chenyi Hua, Jianchao Guo, Jinlong Liu, Xiongbo Yan, Yun Zhao, Liangxian Chen, JunjunWei,Lifu Hei, Chengming Li ，Influence of diamond surface chemical states on the adhesion strength between Y2O3 film and diamond substrate，Materials and Design， 105 (2016) 81–88.

3. Jianchao Guo, Jinlong Liu, Chenyi Hua, Xiongbo Yan, JunjunWei, Liangxian Chen, Lifu Hei, Chengming Li，Interfacial stress evolution simulation on the graphite substrate/interlayer/diamond film during the cooling process，Diamond & Related Materials 75 (2017) 12–17.

4. Chenyi Hua, Xiongbo Yan, JunjunWei, Jianchao Guo, Jinlong Liu, Liangxian Chen, Lifu Hei, Chengming Li，Intrinsic stress evolution during different growth stages of diamond film，Diamond & Related Materials， 73 (2017) 62–66.

5. R.H. Zhu, C.M. Li, L.X. Chen, J.L. Liu, J.J. Wei, L.F. Hei, H. Guo, Erosion difference of growth and nucleation sides of free-standing diamond films prepared by DC arc plasma jet CVD, Applied Surface Science, 2015, 355(15) 203-208.

6. Chenyi Hua, Jianchao Guo, Jinglong Liu, Xiongbo Yan, Yun Zhao, Liangxian Chen,Junjun Wei, Lifu Hei, Chengming Li, Characterization and thermal shock behavior of Y2O3films depositedon freestanding CVD diamond substrates, Applied Surface Science, 376 (2016) 145–150.

7. Jianchao Guo Chengming Li Jinlong Liu Junjun Wei, Liangxian Chen Chenyi Hua Xiongbo Yan, Structural evolution of Ti destroyable interlayer in large-size diamond film deposition by DC arc plasma jet, Applied Surface Science, 370 (2016)237–242.

8. Cao S， Ji W Y， Zhao J L, Yang W Y , Li C M, Zheng J J，Color-tunable photoluminescence of Cu-doped Zn-In-Se quantum dots and their electroluminescence properties，JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C，2016,4（3）581-588.

9. 郭建超，刘金龙，闫雄伯，化称意，赵云，陈良贤，魏俊俊，李成明，基于FLUENT软件直流电弧等离子体喷射法等离子体放电特征二维数值模拟, 真空科学与技术学报，2016,36(3):312-318.

10. R.H. Zhu, J.Y.Miao, J.L.Liu, L.X.Chen, J.C.Guo, C.Y.Hua, T.Ding, H.K. Lian, C.M.Li，High temperature thermal conductivity of free-standing diamond films prepared by DC arc plasma jet CVD，Diamond & Related Materials，50 (2014) 55–59 .

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16. 王猛； 李成明； 陈良贤； 刘金龙； 郭建超； 魏俊俊； 黑立富； 吕反修，金刚石自支撑膜衬底生长立方Y_2O_3薄膜的性能，材料热处理学报，2014, 35(7): 177-181.

17 . 王猛； 李成明； 朱瑞华； 刘金龙； 陈良贤； 魏俊俊； 黑立富；立方Y_2O_3薄膜结构、力学及光学性能的研究，人工晶体学报，2014, 43(1): 25-30.

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37. 张营营,李成明,陈良贤,刘金龙,黑立富,吕反修. 金刚石自支撑膜衬底制备AlN 薄膜的性能[J]. 材料热处理学报,2011,32(8):1-5.

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科研项目

先后主持科技部重点研发计划、国家“863”研究计划、国家自然科学基金、省部自然基金、国家重点实验室基金项目等多项。

学术兼职

兼任中国机械工程学会热处理学会理事、全国磨料磨具标准化技术委员会委员、单晶金刚石电子器件泛太平洋研发产业联盟理事等职。